Двумерная система сильновзаимодействующих электронов в кремниевых (100) структурах
Целью обзора является описание и критический анализ работ различных экспериментальных групп, изучавших свойства двумерного электронного газа в кремниевых полупроводниковых системах (полевых транзисторах (100)Si-MOSFET и квантовых ямах (100) SiGe/Si/SiGe) в окрестности перехода металл—изолятор. Выделены результаты, общие для всех исследователей: 1) эффективная масса электронов, измеренная на уровне Ферми, в металлической области возрастает по мере понижения концентрации и, по экстраполяции, имеет тенденцию к расходимости; 2) средняя по энергии масса в металлической области ведёт себя в двух исследованных системах по-разному: в Si-MOSFET она также обнаруживает тенденцию к расходимости, в квантовых ямах SiGe/Si/SiGe — насыщается в области минимальных концентраций; 3) в металлической фазе имеется небольшое (зависящее от качества образца) количество локализованных электронов; 4) в фазе изолятора в окрестности перехода металл—изолятор электронная система обнаруживает свойства, типичные для аморфных сред с сильным взаимодействием между составляющими такую среду частицами.