Snapdragon 830 будет поддерживать новое поколение быстрой зарядки Quick Charge 4.0
Мы уже не раз писали о подготовке Qualcomm нового флагманского микропроцессора Snapdragon 830, который в 2017 году должен дебютировать в разных классных смартфонах. Сейчас благодаря информированным источникам мы узнали, что параллельно специалисты компании улучшают фирменную технологию быстрой зарядки Quick Charge.
Сообщается, что Snapdragon 830 получит на вооружение Quick Charge 4.0, которая предложит мощность 28 Вт. Информаторы говорят, что чип будет поддерживать 5V/4.7A~5.6A, 9B/4A, а это сулит ультрабыструю зарядку устройств. Конечно, что такая большая мощность может спровоцировать взрыв батареи. Не допустить этого, призвана технология INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage). Она отвечает за адаптацию и оптимизацию напряжения и силы тока под способности зарядного устройства. Специалисты Qualcomm убеждены, что такая тонкая настройка в конечном итоге и позволит отыскать подходящий баланс безопасности и быстрой зарядки.
Напомним, что Snapdragon 830 будет базироваться на ядрах Kryo 200, и для его создания использована 10-нанометровая технология. Общее производство чипа развернется на площадях компании Samsung, но не исключено, что к выпуску микропроцессоров будет причастна и TSMC.