Источник протестировал производительность платформы Qualcomm Snapdragon 820

Решение компании Qualcomm ускорить выход SoC Snapdragon 820 выглядит вполне оправданным на фоне сообщений о перегреве Snapdragon 810, которые продолжают поступать уже длительное время. Как сообщалось, однокристальная система Snapdragon 820 будет производиться по новому 14-нанометровому техпроцессу FinFET силами компании Samsung. Благодаря более «тонким» нормам производства появится запас для увеличения тактовой частоты: по слухам, она сможет достигать 3 ГГц. Насколько тогда возрастет производительность нового поколения SoC Qualcomm?

Источник решил ответить на этот вопрос и привел замеры производительности неназванного устройства на базе Snapdragon 820. Использовалось тестовое приложение GeekBench, в котором было набрано 1732 балла в однопоточном режиме и 4970 баллов в многопоточном. Для сравнения: планшет Sony Xperia Z4 Tablet на базе Snapdragon 810 в нашем тестировании набрал 1317 и 3759 баллов соответственно, а основной конкурент, платформа Exynos 7420 в составе Samsung Galaxy S6, набрал 1129 и 4138 баллов соответственно. В итоге Snapdragon 820 продемонстрировал впечатляющий прирост производительности; остается только выяснить, за счет чего он получен: прироста тактовых частот или архитектурных улучшений.

Комментировать