Разборка смартфона Samsung Galaxy S6 показала, что Samsung все меньше использует микросхемы других производителей
Специалисты Chipworks изучили внутренности смартфона Samsung Galaxy S6. Точнее говоря, модификации 4G+ (SM-G920I) на однокристальной системе Exynos 7420.
Помимо этой SoC, в смартфоне используется память Samsung K3RG3G30MM-DGCH (3 ГБ LPDDR4 SDRAM) и Samsung KLUBG4G1BD (32 ГБ флэш-памяти NAND), модем Samsung Shannon 333, микросхемы управления питанием Shannon 533 и Samsung S2MPS15, приемопередатчик Samsung Shannon 928 RF и микросхема Samsung Shannon 710, реализующая технологию Envelope Tracking.
Кроме того, на плате можно видеть приемник спутниковой навигации Broadcom BCM4773, гироскоп и акселерометр InvenSense MPU-6500, многополосный радиочастотный модуль Skyworks SKY78042, усилители мощности Avago AFEM-9020 и Avago ACPM-7007, процессор изображений Samsung C2N8B6, звуковой усилитель Maxim MAX98505 Class DG и вспомогательную микросхему питания Maxim MAX77843. Список завершают модуль Wi-Fi Samsung Electro-Mechanics 3853B5, контроллер NFC Samsung N5DDPS2, звуковой кодек Wolfson WM1840, приемник беспроводной зарядки Texas Instruments BQ51221, антенный ключ Skyworks SKY13415 и контроллер сенсорного экрана STMicro FT6BH.
О чем говорит этот список? Южнокорейский производитель все больше полагается на собственные микросхемы и все меньше использует микросхемы других производителей, в частности, Qualcomm. Компания Qualcomm считается лидером в производстве модемов LTE, но Intel, MediaTek и Samsung уже располагают собственными разработками.
Процессор The Samsung Exynos 7420 изготавливается по 14-нанометровому техпроцессу FinFET.
Обозначения на микросхеме скомпонованы довольно необычно, что заставило специалистов Chipworks предположить, что этот конкретный экземпляр изготовлен на предприятии Globalfoundries.
Площадь активной части кристалла равна 78 мм² Для сравнения — площадь кристалла однокристальной системы Qualcomm Snapdragon, используемой в Galaxy S5, равна 118,3 мм².
Источник: Chipworks
Теги: SamsungКомментировать