NXP и Globalfoundries разработали 40-нанометровую встраиваемую энергонезависимую память
Компании Globalfoundries и NXP Semiconductor объявили о совместной разработке встраиваемой энергонезависимой памяти (eNVM), рассчитанной на выпуск с использованием 40-нанометровой технологической платформы Globalfoundries.
Указанная память используется в разнообразных изделиях, включая микроконтроллеры, микросхемы для смарт-карт и NFC. По словам партнеров, успешные совместные усилия позволили ускорить выпуск микросхем с памятью eNVM.
Серийный выпуск продукции должен начаться в 2016 году на мощностях Globalfoundries Fab 7 в Сингапуре, рассчитанных на обработку 50 000 пластин диаметром 300 мм в месяц.
Источник: GlobalFoundries
Теги: GlobalfoundriesКомментировать