Micron и Intel представили флэш-память NAND с объемной компоновкой
Компании Micron и Intel только что представили флэш-память типа NAND с объемной компоновкой. В этой памяти используются ячейки с плавающим затвором, способные хранить в каждой ячейке два или три бита информации.
По словам партнеров, новая память характеризуется втрое большей плотностью по сравнению с существующей и позволяет создавать твердотельные накопители объемом более 3,5 ТБ, напоминающие по размеру пластинку жевательной резинки, и накопители объемом более 10 ТБ, имеющие стандартный типоразмера 2,5 дюйма.
Как утверждается, переход к объемной компоновке позволяет сохранить актуальность закона Мура в применении к флэш-памяти.
В ходе онлайновой презентации представитель Micron продемонстрировал кремниевую пластину с чипами новой памяти. Они состоят из 32 слоев. Плотность одного чипа типа MLC NAND равна 256 Гбит, TLC NAND — 384 Гбит.
Чипы плотностью 256 Гбит уже поставляются некоторым партнерам Micron и Intel. Очередь чипов плотностью 384 Гбит подойдет до конца весны, а в четвертом квартале этого года производители рассчитывают начать серийный выпуск обеих модификаций. Готовые изделия с новой памятью Micron и Intel надеются предложить покупателям в 2016 году. О ресурсе новой памяти производители ничего не говорят.
Напомним, компании SanDisk и Toshiba сегодня представили 48-слойную флэш-память 3D NAND (BiCS).
Источник: Intel
Теги: Intel MicronКомментировать