IDF 2015: G.Skill продемонстрировала модули памяти DDR4@4133 и DDR4@4266

На ежегодной конференции Intel Developer Forum, которая проходила в Сан-Франциско с 19 по 21 августа, были представлены первые модули оперативной памяти, достигшие эффективной тактовой частоты 4266 МГц. На стенде G.SKILL можно было увидеть стенд на платформе Intel  Z170 с 8-гигабайтным (два модуля по 4 Гбайт) комплектом TridentZ, работающим на сравнительно высоких таймингах 19-25-25-45 CR2. Вместо стандартного для большинства модулей DDR4 SDRAM напряжения 1,2 В комплект требует 1,4 В. Более скромный комплект с эффективной частотой 4133 МГц не отличается от старшей модели по основным таймингами, и только параметр tRFC (задержка, необходимая для доступа к банку после обновления) понижен с 660 до 450 циклов.