Qualcomm Snapdragon 835 и 660: подробные характеристики

Qualcomm Snapdragon 835 и 660: подробные характеристики

Недавно Qualcomm и Samsung рассказали, что совместно занимаются разработкой топового чипсета Snapdragon 835, но не назвали его технические характеристики. Эту недоработку исправили китайские СМИ, раздобывшие документы с указанием этих cпецификаций. Итак, Qualcomm Snapdragon 835 (MSM8998) получит 8 вычислительных ядер Kryo 200 (по данным Китайского института информации и коммуникаций, пиковая частота будет достигать 3 ГГц, а прирост производительности составит 27%), собранных в два кластера по 4 ядра, видеоускоритель Adreno 540 и модем X16. Техпроцесс составляет 10 нм. Поддерживаются оперативная память LPDDR4 и накопители информации UFS 2.1. Поставки смартфонов на Snapdragon 835 начнутся в первом квартале, первым устройством на его базе станет Samsung Galaxy S8, чей анонс состоится на MWC 2017.

В том же документе упоминается и другой чипсет высокого уровня от Qualcomm – Snapdragon 660 (MSM8976 Plus). Он включает восемь ядер Kryo (4 по 2,2 ГГц + 4 по 1,9 ГГц), видеоускоритель Adreno 512 и модем X10. Техпроцесс крупнее: 14 нм. Поддерживаются ОЗУ типа LPDDR4 и ПЗУ типа UFS 2.1. Этот чипсет будет доступен во втором квартале, а первыми производителями устройств на его базе станут OPPO и Vivo (то есть два подразделения BBK)