Российские полупроводники вырастят в космосе: установку отправили на МКС

Арсенид галлия — востребованный в электронике полупроводник. Его получают методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Российские ученые впервые в мире решили протестировать этот метод на борту МКС, где синтез полупроводников проще и безопаснее.

Сотрудники Института физики полупроводников имени Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) по заказу РКК «Энергия» создали оборудование для синтеза полупроводников в космосе. Проект называется «Экран-М». Он предполагает использование преимуществ вакуума для получения сверхчистых полупроводниковых материалов с помощью молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). На сегодня подобная научно-прикладная программа — единственная в мире. Оборудование прошло предполетные тесты и было отправлено на Международную космическую станцию (МКС) 12 сентября 2025 года.

МЛЭ является базовым методом выращивания полупроводников с повышенными эксплуатационными требованиями. В процессе эпитаксии атомарные слои в условиях максимально достижимого вакуума помещаются друг на друга таким образом, чтобы получаемые кристаллы обладали нужными свойствами — излучали или принимали свет на определенной длине волны или выдерживали ток высокого напряжения, не допуская пробоев. На Земле установки МЛЭ — крупногабаритное оборудование, сложное и дорогое в производстве и эксплуатации. Отходы синтеза токсичны и требуют ответственной утилизации.