Самсунг выпускает первые в ветви микросхемы памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит

Компания Самсунг объявила о начале серийного выпуска микросхем памяти LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит. Память Самсунг LPDDR5 DRAM плотностью 12 Гбит создана для мобильных устройств. Предполагается , что новые микрочипы будут устанавливать в телефонах премиум класса обновленного поколения , а еще системах машинного обучения и автомобильных медиацентрах. «Самсунг как и прежде стремится быстро внедрять технологии мобильной памяти обновленного поколения с не менее высокими емкостью и производительностью, продолжая активно стимулировать рост рынка памяти премиум-класса», — обозначил исполнительный руководитель и вице-президент Самсунг Electronics по продуктам и технологиям DRAM Джун-Бай Ли (Jung-bae Lee). Как и текущее поколение ОЗУ LPDDR4X, новые модули памяти построены на 10-нанометровом чипе Самсунг 2-го поколения. Уже до конца этого месяца фирма намерена начать массовый выпуск модулей LPDDR5 объемом 12 ГБ, упаковывая 8 схожих микросхем в один корпус, а в течении следующего года создать кристаллы LPDDR5 DRAM плотностью 16 Гбит. Новый стандарт имеет пропускную способность 5500 МБит/с, что на 30% выше характеристик предшественника (4266 Мбит/с). Сам формат LPDDR5 будет адаптирован в следующем поколении флагманов. Для 12-гигабитной LPDDR5 заявлена скорость передачи данных 5500 Мбит/c, что приблизительно в 1,3 раза скорее , чем мобильная память прошлого поколения (LPDDR4X, 4266 Мбит/с), применяемая в актуальных на сегодняшний день флагманских телефонах .