Toshiba и SanDisk начнут общее создание мультислойной 3D V-NAND только в 2016 году
Компания SanDisk заявила, что начнёт общее производства мультислойной 3D V-NAND флеш-памяти вместе с Toshiba только в 2016 году, т.е. через три года после начала массового производства 3D V-NAND компанией Samsung Electronics. Таким образом, у последней будет серьезное преимущество перед соперниками ещё несколько кварталов подряд.
«Разработка нашей 3D NAND технологии прогрессирует. Мы планируем запустить опытнейшее создание во 2-ой половине 2015 года и намереваемся начать промышленное создание в 2016 году», - заявил Санджей Мехротра (Sanjay Mehrotra), исполнительный директор фирмы SanDisk, в процессе телефонной конференции с инвесторами и финансовыми аналитиками.
Мультислойная 3D V-NAND флеш-память компонует до 32 слоёв NAND в одном кристалле. Схожий подход позволяет увеличить ёмкость чипов без уменьшения размеров личных ячеек памяти. Таким образом, отпадает необходимость внедрения новейших технологий производства полупроводников.
Как всем известно, при использовании сверхтонких норм производства миниатюризируется производительность и надёжность NAND флеш-памяти. Так как 3D V-NAND память не просит более современных норм производства для роста ёмкости, то компания Samsung использует для своих 3D V-NAND чипов отлаженный 42-нм технологический процесс. Это наращивает надёжность и производительность чипов флеш-памяти в сравнении с решениями, произведёнными по 19-нм технологии.
Компания Samsung массово производит 3D V-NAND память с 2013 года. Использование схожей памяти позволяет фирмы предлагать клиентам дешевые высокопроизводительные SSD. Так как SanDisk и Toshiba не начнут массового производства 3D V-NAND ещё минимум 18 месяцев, Samsung будет продолжать иметь в своём арсенале серьезное конкурентноспособное преимущество.
В ближайших планах фирмы SanDisk начать поставки решений на базе NAND флеш-памяти, произведённой по технологии 15 нм. Хотя тонкая «плоская» разработка позволит удешевить создание памяти, мультислойная память Samsung будет всё равно дешевле в пересчёте на стоимость 1-го бита. К тому же 15-нм память будет менее производительна и менее надёжна, чем 3D V-NAND. Все же, управляющий SanDisk утверждает, что NAND-память от SanDisk/Toshiba, произведённая по нормам 15 нм, - самая дешёвая флеш-память в промышленности.
«Мы планируем начать поставки 15-нм памяти в этом квартале, создание в значительных количествах начнётся в первом квартале 2015 года», - сказал господин Мехротра. «Мы считаем, что MLC и TLC память, произведённая по 15-нм техпроцессу, будет самой дешёвой в промышленности. Новая память позволит создавать решения для самых различных частей рынка, от потребительских до нацеленных на предприятия».