Samsung начала серийное создание первых чипов 3D NAND с 3-битовой ячейкой
Компания Samsung Electronics сказала о том, что первой на рынке начала серийное создание флеш-памяти 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой. Микросхемы созданы для твердотельных накопителей.
На производственные сборочные потоки встали 128-Гбит чипы второго поколения, состоящие из 32 вертикальных плотно расположенных слоёв. По заверениям производителя, новая память в сравнении с классической двухмерной MLC NAND, сделанной на базе 10-нм класса, может похвастать в два раза увеличенным ресурсом и пониженным на 20 % потреблением энергии. За счёт записи в каждую ячейку 3 бит данных вместо 1-го либо 2-ух можно приметно увеличить плотность размещения информации.
В текущее время Samsung уже поставляет партнёрам готовые твердотельные накопители на базе новой памяти. В следующем году южнокорейский гигант хочет освоить создание 256-Гбит памяти 3D V-NAND, а в перспективе перейти на выпуск 100-слойных чипов ёмкостью 1 Тбит.
По мнению управления Samsung, память 3D V-NAND с трёхбитовой ячейкой способна совершить реальный прорыв в IT-индустрии, ускорив переход от жёстких дисков к SSD-устройствам. Кроме этого, с помощью новой памяти компания расчитывает повысить конкурентоспособность своего SSD-бизнеса.
Согласно данным аналитиков DRAMeXchange за ii квартал 2014 года, Samsung держит под контролем около 30,8 % мирового рынка чипов памяти NAND flash.
Теги: nand, nand-память, samsung, производство